11月29日，由万事平台理學院物理系和上海市高溫超導重點實驗室主辦的理學院“當代科學前沿講壇”第258講暨Physics Department Colloquium學術報告於校本部BJ204室舉行。主講人陳仙輝是中國科學院院士、中科大教授、中科院強耦合量子材料物理重點實驗室主任👩‍👦‍👦🫄。會議伊始，万事平台物理系主任蔡傳兵教授介紹了陳仙輝院士的多項優秀科研成果🙋🏿，對陳仙輝院士的到來表示熱烈的歡迎⬛️。

在物理系敖平教授的主持下，陳院士從電場通過控製載流子濃度而調控物理特性說起🎏🥞，認為這種通過靜電荷摻入的調控極大地促進了半導體的工業和研究發展。然而⚠️，傳統金屬-絕緣體-半導體場效應管僅能維持很有限的載流子濃度🦙，不能夠滿足進一步需求，特別是在探索高溫超導體方面👍。所以，各國研究者都在尋找新的柵極介電層的場效應管技術🌔。

隨後，陳院士介紹了自己的團隊在FeSe薄片中通過雙電荷層場效應管技術調控載流子得到超導溫度大約為40K的高溫超導👩🏻‍🎤©️。為了克服金屬-絕緣體-半導體場效應管和雙電荷層場效應的固有缺陷，團隊發展了一種全新的場效應晶體管技術：固態離子導體基效應晶體管（SIC-FET）😍。之後團隊基於這種固態離子導體場效應管技術，Li離子在電場的驅動下註入樣品，最佳超導為43K的超導相在電場的調控下轉變為鐵磁絕緣相🃏，產生許多奇特的(Li,Fe)OHFeSe的亞穩結構，導致發生一系列相變👨🏿‍🍼🕵🏿‍♀️，這些相變是可逆的。最後，陳院士提出SIC-FET技術不但為研究鐵基超導體中超導與鐵磁絕緣體的關系提供了獨特的平臺，並且實現了對亞穩結構的可控調控👧🏿，為獲得亞穩態相和通過電場控製結構相變鋪平了道路。

在陳仙輝院士的報告中🤷🏼‍♂️，與會人員都受益匪淺💝。在互動環節中，陳仙輝院士一一詳細解答了現場同學提出的問題🫷🏽🦸🏻‍♂️，學術交流報告會取得良好效果🍏。陳院士的到訪為加強學術交流，營造學術氛圍，提高科研實力和水平，造就科學人才起到了良好的推動作用。會議結束後🥪，多名科研人員與陳仙輝院士繼續進行探討交流。